هدف از این مطالعه بررسی و تحلیل آشفتگی، نوسانات و جهش نواحی بارشی ایران می باشد. برای این منظور داده های محیطی در دو بخش جمع آوری شده اند. در بخش اول داده ها حاصل میان یابی مشاهدات بارش روزانه 1434 ایستگاه همدیدی و اقلیمی از ابتدای سال 1340 تا 1383 از پایگاه داده های اسفزاری استفاده شده است. بعد از تشکیل پایگاه داده ای به منظور شناسایی نواحی بارشی ایران از تحلیل خوشه ای بر روی داده های میانگین و ضریب تغییرات بارش سالانه و ماهانه استفاده شده است. برای اعتبار سنجی نواحی بارشی ایران از تحلیل سیلهوته استفاده شده است. در ادامه به منظور بررسی آشفتگیها، جهش و نوسانات نواحی بارشی ایران پرداخته شده است. نتایج حاصل از تحلیل خوشه ای بیانگر این بوده است که نواحی بارشی ایران به شش طبقه قابل تقسیم بندی می باشند. در این بین نواحی خزری (ناحیه چهار) از بیشترین مقدار بارش و کمترین ضریب تغییرات برخوردار است. توزیع رژیم بارش در هر شش نواحی نشان می دهد که رژیم بارش ایران بیشتر در فصل زمستان و بهار و بعضا پاییز می باشد. بررسی و تحلیل آشفتگی بارش بیانگر این بوده است که بارش به جز در ناحیه چهار (ناحیه خزری) در سایر نواحی دیگر توزیع رخداد بارش همراه با آشفتگی بوده است. با وجود اینکه بیشترین آشفتگی ها در ناحیه زاگرسی رخ داده است اما بیشترین توالی آشفتگی ها مربوط به ناحیه بارشی پنجم می باشد. کمترین توالی آشفتگی ها در ناحیه مرکزی و شرقی کشور رخ داده است. نتایج حاصل از تحلیل جهش و نوسانات بیانگر این است که آشفتگی های بارش به جز در سالهای ابتدایی نواحی بارشی دو و پنج در سایر نواحی دیگر بارش فاقد جهش معنی دار بوده است این در حالی می باشد که نوسانات کوتاه مدت 3 تا 5 ساله بر بارش هر شش نواحی حاکم بوده است.

هدف از این مطالعه واکاوی وضعیت دمای زمستانه ایران در زمان حاکمیت پرفشار سیبری در ایران زمین می­, باشد. برای این منظور داده های دمای روزانه زمستانه 283 ایستگاه سینوپتیکی کشور برای طی دوره آماری 1341 تا 1390 از سازمان هواشناسی کشور استخراج گردیده است. سپس به منظور استخراج الگوی پرفشار سیبری داده های فشار تراز دریا در محدوه جغرافیایی 10-تا 100 درجه شرقی و 10 تا 70 درجه شمالی از پایگاه وابسته به سازمان ملی جو و اقیانوس شناسی ایالت متحده آمریکا استخراج گردیده است. سپس با اجرای تحلیل خوشه­, ای بر روی داده های تراز دریا در فصل زمستان الگوی پرفشار سیبری شناسایی شده است. به منظور ارزیابی و اعتبارسنجی شناسایی الگوی پرفشار سیبری از شاخص اعتبار سنجی دیویس-بولدین (DBI)، شاخص سیلهوته ((SI))، تحلیل تابع تشخیصی(DFA)، تحلیل کامینز (k-M) بهره گرفته شده است. نتایج حاصل از این مطالعه بیانگر این است که توزیع مکانی میانگین دمای روزانه به شدت تحت تأثیر سامانه پرفشار سیبری قرار دارد به طوری که در زمان سیطره این سامانه بر اقلیم ایران، در اکثر نقاط ایران دما به شدت کاهش یافته است که دراین بین سهم ماه دی بیشتر می­, باشد. این سامانه با جهت شرقی-غربی بیشتر از سمت شمال شرق و غرب دریای خزر به ایران وارد شده و سبب ریزش هوای سرد بر اقلیم ایران می­, گردد به طوری که علاوه بر اینکه ضخامت جو به شدت کاسته شده فرارفت هوای سرد تقریباً بر سراسر اقلیم ایران حاکم شده است که در این میان در امتداد کوه های زاگرس و ارتفاعات شمال غرب این تغییرات مکانی دما بیشتر به چشم می­, خورد.

در این مقاله چگالی بارهای سطحی سیلیکان در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-(SI)/(SI)0.81Ge0.19/(SI) ارزیابی شده است. وجود یک چاه کوانتمی (QW) در محل لایه آلیاژی ((SI)Ge) نوار ظرفیت این ساختار باعت می شود که در نزدیکی میان گاه پایین (معکوس) (SI)/(SI)Ge/(SI) یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) تشکیل شود. چگالی سطحی گاز حفره ای دو بعدی nh، که به درصد Ge در آلیاژ و سایر پارامترهای ساختار بستگی دارد، شدیدا متاثر از چگالی بارهای سطحی nsur روی سطح لایه (SI) پوششی است و با افزایش ضخامت لایه پوششی، افزایش می یابد. از مقایسه نتایج تجربی و محاسبات نظری نتیجه می شود که با کاهش ضخامت لایه پوششی (400-150nm)، چگالی بارهای سطحی nsur در ساختارهای مورد مطالعه افزایش می یابد و تغییرات آن در گستره [(1-2.5)±0.2]´1011/cm2 ارزیابی می شود. بعلاوه فاصله تراز فرمی از لبه نوار ظرفیت در سطح آزاد (SI) برابر با DEFV = (0.5±0.05)eV برآورد می شود.

در ترانزیستورهای بدون پیوند، آلایش سورس-کانال-درین از یک نوع و در یک سطح است; بنابراین فرآیند ساخت ترانزیستورهای بدون پیوند نسبت به ترانزیستورهای مد وارونگی آسان تر است. علیرغم این مزیت، کاهش هدایت انتقالی ترانزیستور بدون پیوند به دلیل کاهش سرعت حامل، عملکرد این نوع ترانزیستور را برای کاربردهای آنالوگ، فرکانس رادیویی و در نویز فرکانس بالا با مشکل مواجه می کند. روش مؤثری که بدون کاهش بازده، هدایت انتقالی ترانزیستور بدون پیوند را افزایش می دهد، استفاده از ساختار نامتجانس در کانال است. در این مقاله استفاده از مواد (SI) و (SI)1-xGex در کانال برای افزایش هدایت انتقالی ترانزیستور بدون پیوند پیشنهاد و مدل سازی می شود. ساختار ویژه ترانزیستور پیشنهادی که JL-(SI)/(SI)1-xGex نامیده می شود، باعث حذف پراکندگی بین دره ای مابین دره های ∆_2 و∆_4 شده و این موضوع باعث افزایش سرعت حرکت الکترون و به دنبال آن افزایش چشمگیر هدایت انتقالی می شود. نتایج مدل سازی ترانزیستور نامتجانس JL-(SI)/(SI)1-xGex پیشنهادی، بیشینه هدایت انتقالی را mS/um 5,2 نشان می دهد که نسبت به ترانزیستور مشابه سیلیکونی JL-(SI)، %50 افزایش یافته است. همچنین محاسبات مستخرج از مدل سازی نشان می دهد که ترانزیستور JL-(SI)/(SI)1-xGex پیشنهادی دارای فرکانس قطع بهره واحد 750 گیگاهرتز، عدد نویز کمینه 65,0 دسی بل و بهره در دسترس 5,28 دسی بل است. پارامترهای فرکانس قطع، عدد نویز حداقل و بهره در دسترس ترانزیستور JL-(SI)/(SI)1-xGex پیشنهادی در مقایسه با ترانزیستور JL-(SI) با ابعاد مشابه به ترتیب، %34، %62.5 و %53 بهبود یافته است. ترانزیستور JL-(SI)/(SI)1-xGex پیشنهادی می تواند جایگزین مناسبی برای ترانزیستورهای متداول مد وارونگی در کاربردهای آنالوگ و فرکانس رادیویی باشد.

تحلیل حرارتی و محاسبه توزیع دما در پیستون برای کنترل تنش های حرارتی و تغییر شکل ها در محدوده مجاز، اهمیت دارد. در این تحقیق ابتدا انتقال حرارت در پیستون موتور احتراق جرقه ای محاسبه شده، سپس با تعیین شرایط مرزی حرارتی و مکانیکی و اعمال آنها، تحلیل تنش پیستون با استفاده از روش اجزا محدود انجام شده است. برای محاسبه انتقال حرارت، از یک مدل مقاومتی ساده برای تعیین دمای دیواره ها استفاده شده، بدین ترتیب که برای هر یک از دیواره ها یعنی پیستون، سیلندر و سرسیلندر، یک دمای مجهول در نظر گرفته شده و معادلات انتقال حرارت مربوطه با مدل احتراق دو ناحیه ای به صورت همزمان حل شده است. مجموعه این عملیات به وسیله کدی که در نرم افزار MATLAB نوشته شده، انجام شده و درستی نتایج با داده های تجربی موتور EF7.TC مقایسه شده است. برای محاسبه تنش های حرارتی و مکانیکی و مقایسه آنها با هم، نتایج بدست آمده از قسمت قبل برازش منحنی شده و توسط نرم افزار ANSYS فراخوانی و بر پیستون اعمال شده است. برای بررسی درستی نتایج، نتایج شبیه سازی با نمونه های واقعی پیستون آسیب دیده مقایسه شده و نشان داده شده که نواحی بحرانی مشخص شده، برابری خوبی با نواحی شکست در نمونه های واقعی دارد.

در این مقاله، سینتر بدون فشار نانوکامپوزیت B4C-(SI) مورد پژوهش قرار گرفته است. ابتدا، پیش از انجام هر گونه عملیات آزمایشگاهی و با استفاده از نرم افزارهای Factsage و HSC، مقدار تغییرات انرژی آزاد واکنش ها و در نتیجه، انجام پذیری آن ها مورد بررسی قرار گرفت. سپس ترکیب هایی حاوی 10-2.5 درصد وزنی سیلیسیم تحت فشار پرس تک محوره قرار گرفته و به روش سینتر بدون فشار در دمای 2200 درجه سانتی گراد سینتر شدند. برای بررسی خواص فیزیکی و مکانیکی نمونه ها، آزمون های تعیین دانسیته، میکرو سختی سنجی و تعیین مدول و چقرمگی شکست انجام گرفت.هم چنین، برای مطالعه ریزساختار نمونه ها، تصاویر میکروسکوپی آن ها با میکروسکوپ الکترونی روبشی تهیه شد. نتایج بدست آمده از نمونه ها نشان دادند که بهترین خواص برای نمونه حاوی 7.5 درصد وزنی سیلیسیم با دانسیته نسبی 92 درصد، سختی 32.2 GPa، مدول الاستیک 308.45 GPa و چقرمگی شکست MPa.m1.2 4.09 بدست آمده است.